B6S-E3/80
|
DIODE BRIDGE 0.5A 600V MBS |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
| Current - DC Forward (If) | 500mA |
| Diode Type | Single Phase |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-269AA |
| Корпус | MBS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL21A475KOFNNNE | SAM |
|
|
|||||
| CL21A475KOFNNNE |
|
|
||||||
| CL21A475KOFNNNE |
|
|
||||||
| CL21A475KOFNNNE | SAMSUNG | 94 184 |
1.88 >100 шт. 0.94 |
|||||
| G6S212DC | OMRON |
|
|
|||||
| G6S212DC |
|
|
||||||
| M95256-RMN6P | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| M95256-RMN6P | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| M95256-RMN6P | КИТАЙ |
|
|
|||||
| M95256-RMN6P |
|
|
||||||
| M95256-RMN6P | 4-7 НЕДЕЛЬ | 702 |
|
|||||
| SM-LP-5001E | BOURNS | 4 126 | 237.64 | |||||
| SM-LP-5001E |
|
340.00 | ||||||
| TLP785GB[F] | TOS |
|
|
|||||
| TLP785GB[F] |
|
|
