SI4500BDY-T1-E3
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.6A, 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZV55-B3V6.115 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V6.115 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | VISHAY |
|
|
|||||
| GF1G | FAIR |
|
|
|||||
| GF1G | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| GF1G | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| GF1G | 1 |
|
||||||
| GF1G | FAIRCHILD | 8 |
|
|||||
| GF1G | GENERAL SEMICONDUCTOR | 27 |
|
|||||
| GF1G | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| GF1G | ONS |
|
|
|||||
| IRF7105Q | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7105Q |
|
|
||||||
| MMSZ5233B | FAIR |
|
|
|||||
| MMSZ5233B | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| MMSZ5233B | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| MMSZ5233B | Fairchild Semiconductor |
|
|
