SI4500BDY-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4500BDY-T1-E3 (4-7 НЕДЕЛЬ)	308	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4500BDY-T1-E3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	N and P-Channel
Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.