IRFR9110TRPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRFR9110TRPBF (SILICONIX.)	346	3-4 недели Цена по запросу
IRFR9110TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	20	3-4 недели Цена по запросу
IRFR9110TRPBF (VISHAY)	2 731	69.41

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

Версия для печати

Технические характеристики IRFR9110TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	200pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR9110TRPBF datasheet