BCW30
Транзистор биполярный SMD PNP 32V 0,1A 0,25W B:215-500
|
|
Версия для печати
| Корпус | SOT-23 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 350mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 215 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BCW30 Pnp Epitaxial Silicon Transistor
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
КТ3129Г9 | 1 900 | 3.68 | |||||
|
|
КТ3129Г9 | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ3129Г9 | ДАЛЕКС | 3 | 22.68 | ||||
|
|
КТ3129Г9 | ЭЛЕКС | 4 | 3.23 | ||||
|
|
КТ3129Г9 | RUS |
|
|
||||
|
|
КТ3129Г9 | МИНСК |
|
|
||||
|
|
КТ3129Г9 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
