| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
3362P-1-105LF |
|
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3362P-1-105LF |
|
|
BOURNS
|
16
|
19.67
|
|
|
|
|
3362P-1-105LF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3362P-1-105LF |
|
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
|
|
488.00
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ИРЛАНДИЯ
|
|
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8552ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
714
|
|
|
|
|
|
IRF540NPBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
552
|
53.00
|
|
|
|
|
IRF540NPBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...
|
|
1 952
|
20.69
|
|
|
|
|
IRF540NPBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF540NPBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...
|
INFINEON
|
6 564
|
39.26
|
|
|
|
|
IRF540NPBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...
|
250
|
|
|
|
|
|
|
IRF540NPBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...
|
342
|
|
|
|
|
|
|
IRF540NPBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...
|
355
|
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
325
|
|
|
|
|
|
PVZ3A105, 1 МОМ (3303W-3-105), РЕЗИСТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ |
|
|
MURATA
|
|
|
|
Версия для печати
