CRA2512-FZ-R010ELF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
CRA2512-FZ-R010ELF (BOURNS)	1 600	37.63
CRA2512-FZ-R010ELF		89.20

RES .01 OHM 3W 1% 2512 SMD

Версия для печати

Технические характеристики CRA2512-FZ-R010ELF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CRA2512
Сопротивление (Ом)	0.01
Мощность (Ватт)	3W
Composition	Metal Film
Возможности	Current Sense
Температурный коэфициент	±75ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±1%
Tolerance	±1%
Size / Dimension	0.252" L x 0.126" W (6.40mm x 3.20mm)
Высота	0.031" (0.80mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	2512 (6432 Metric)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CRA2512-FZ-R010ELF datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BCP54-16.115	NPN 45V 1A 1,3W B:100-250	NXP
BCP54-16.115	NPN 45V 1A 1,3W B:100-250
BCP54-16.115	NPN 45V 1A 1,3W B:100-250	NEX-NXP
FNR-14K431	430В 75.0 Дж, варистор	FNR	131 934	9.37
FNR-14K431	430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY
FNR-14K431	430В 75.0 Дж, варистор		28	19.36
FNR-14K431	430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA	136	12.60
FNR-14K431	430В 75.0 Дж, варистор	430V 14MM
IRLD110	Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLD110	Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	VISHAY
IRLD110	Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень		24	65.60
IRLD110	Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	Vishay/Siliconix
KXO-V97 20.0 MHZ		GEYER ELECTRONIC
KXO-V97 20.0 MHZ		GEYER	3	62.98
KXO-V97 20.0 MHZ				528.00
КР1561КП1	(IW4052BN)		1 730	53.55
КР1561КП1	(IW4052BN)	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
КР1561КП1	(IW4052BN)	НОВОСИБИРСК	283	14.00