|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 2.7A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AD8611ARMZ-R2 |
|
Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ... | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| AD8611ARMZ-R2 |
|
Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ... | ANALOG |
|
|
|||
| AD8611ARMZ-R2 |
|
Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ... | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| AD8611ARMZ-R2 |
|
Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ... |
|
|
||||
|
|
|
B43508A9687M000 |
|
EPCOS Inc |
|
|
||
| FH-311 |
|
|
||||||
| FH-311 | DRAGON CITY |
|
|
|||||
| FH-311 | TWN |
|
|
|||||
| IT-1187U (4X4X1.5) |
|
|
||||||
| IT-1187U (4X4X1.5) |
|
|
||||||
| IT-1187U (4X4X1.5) | RUICHI |
|
|
|||||
| RC0402JR-07200RL |
|
RES 200 OHM 1/16W 5% 0402 ( ±100ppm/°C) | YAGEO | 1 569 568 |
0.55 >1000 шт. 0.11 |
|||
| RC0402JR-07200RL |
|
RES 200 OHM 1/16W 5% 0402 ( ±100ppm/°C) | YAGEO | 30 768 |
|
|||
| RC0402JR-07200RL |
|
RES 200 OHM 1/16W 5% 0402 ( ±100ppm/°C) |
|
|