| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
|
|
60.00
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
ISC
|
|
|
|
|
|
2SC2898 |
|
Биполярный транзистор
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SC2898 |
|
Биполярный транзистор
|
|
|
63.28
|
|
|
|
2SC2898 |
|
Биполярный транзистор
|
HIT
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
|
|
63.88
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
HOTTECH
|
232
|
21.18
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZH
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
FAIRCHILD
|
79
|
127.20
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZHONGDI
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
БРЯНСК
|
790
|
133.56
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ISC
|
151
|
54.29
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
388
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
600
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
83
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
JSMICRO
|
488
|
23.32
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
|
8
|
138.75
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ISC
|
2 038
|
100.00
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
VARIOUS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
JSMICRO
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
1 448
|
5.42
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
26 243
|
2.62
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
47 878
|
3.65
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
204
|
3.18
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
2 319
|
7.40
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
4 516
|
1.37
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
24 800
|
2.27
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
7 212
|
1.22
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST/YJ
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
10
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
68
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
876
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
98
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
542
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RUME
|
1 912
|
1.20
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
|
56
|
10.08
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
KOME
|
33 200
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
YANGJIE
|
8 000
|
1.12
|
|
|
|
|
HER157 |
|
Диод 1,5A, 1000V, 70ns
|
1
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
134
|
74.20
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
|
376
|
42.21
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
275
|
|
|
|
|
|
К52-1 25В 47МКФ 20% |
|
|
ЭЛЕКОНД
|
|
|
|
|
|
|
ТК24-00-1-110 +/-3% |
|
|
|
|
|
|