| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
|
|
60.00
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC2335 |
|
Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220
|
ISC
|
|
|
|
|
|
2SC2898 |
|
Биполярный транзистор
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SC2898 |
|
Биполярный транзистор
|
|
|
63.28
|
|
|
|
2SC2898 |
|
Биполярный транзистор
|
HIT
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
|
|
63.88
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
HOTTECH
|
210
|
23.10
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZH
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
FAIRCHILD
|
79
|
107.40
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZHONGDI
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
БРЯНСК
|
790
|
112.77
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ISC
|
151
|
59.19
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
388
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
600
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
83
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
JSMICRO
|
464
|
25.43
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
|
8
|
138.75
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ISC
|
1 998
|
77.88
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
VARIOUS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
JSMICRO
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
10 777
|
6.49
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 097
|
3.93
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
672
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
1 932
|
3.58
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
58 097
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.08
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
712
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
40
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
5725
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
RUME
|
23 200
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SLKOR
|
1 520
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
16 056
|
6.26
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
534
|
4.08
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
12 888
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
72
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.16
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
3 008
|
1.08
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
|
AB0290 (АВ0290.2) 50Х75Х19 |
|
|
ЛИГРА
|
|
|
|
|
|
|
AB0290 (АВ0290.2) 50Х75Х19 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
DB-9F (DS1033-09F) |
|
|
ZHENQIN
|
|
|
|
|
|
|
DB-9F (DS1033-09F) |
|
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
DB-9F (DS1033-09F) |
|
|
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 920
|
28.93
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
TOBE
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
|
1 800
|
21.02
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ZH
|
6 640
|
13.53
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
LGE
|
282
|
24.38
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
HXY
|
369
|
14.96
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
RUME
|
74 728
|
11.74
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
TRR
|
9 760
|
11.74
|
|