|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
8 617
|
4.86
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 718
|
4.37
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
27 600
|
1.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
393
|
1.84
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.26
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
1 929
|
1.66
|
|
|
|
DS1302N |
|
Часы/календарь, интерфейс 3W, 31 байт ОЗУ, -40..+80C
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS1302N |
|
Часы/календарь, интерфейс 3W, 31 байт ОЗУ, -40..+80C
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1302N |
|
Часы/календарь, интерфейс 3W, 31 байт ОЗУ, -40..+80C
|
|
|
193.72
|
|
|
|
DS1302N |
|
Часы/календарь, интерфейс 3W, 31 байт ОЗУ, -40..+80C
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS1302N |
|
Часы/календарь, интерфейс 3W, 31 байт ОЗУ, -40..+80C
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS1302N |
|
Часы/календарь, интерфейс 3W, 31 байт ОЗУ, -40..+80C
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1302N |
|
Часы/календарь, интерфейс 3W, 31 байт ОЗУ, -40..+80C
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS1302N |
|
Часы/календарь, интерфейс 3W, 31 байт ОЗУ, -40..+80C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
624
|
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
1 540
|
51.41
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
9 641
|
109.51
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF840PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INFINEON
|
80
|
43.20
|
|
|
|
КС168А |
|
Стабилитрон кремниевый малой мощности, для стабилизации номинального напряжения 6,8 В ...
|
|
3 380
|
1.84
|
|
|
|
КС168А |
|
Стабилитрон кремниевый малой мощности, для стабилизации номинального напряжения 6,8 В ...
|
НЗПП
|
20 800
|
15.50
|
|
|
|
КС168А |
|
Стабилитрон кремниевый малой мощности, для стабилизации номинального напряжения 6,8 В ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС168А |
|
Стабилитрон кремниевый малой мощности, для стабилизации номинального напряжения 6,8 В ...
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КС168А |
|
Стабилитрон кремниевый малой мощности, для стабилизации номинального напряжения 6,8 В ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КЦ422Г ДИОДНЫЙ МОСТ 400В 0.5А |
|
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КЦ422Г ДИОДНЫЙ МОСТ 400В 0.5А |
|
|
|
|
|
|