|
|
Версия для печати
| Температурный коэфициент | C0G |
| Номинальное напряжение | 50 В |
| Емкость | 1000 пФ |
| Серия | GRM |
| Корпус (размер) | 1206 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Size / Dimension | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Thickness | 0.037" (0.95mm) |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBZ15VALT1G | NXP |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON Semiconductor | 4 | 3.88 | |||||
| MMBZ15VALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 892 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | 165 | 10.08 | ||||||
| MMBZ15VALT1G | ONS |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | YOUTAI | 5 458 | 3.75 | |||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | 3 | 15.12 | |||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 9 836 |
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMIC |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | YOUTAI | 6 940 | 1.82 | ||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | UMW-YOUTAI |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | UMW |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | 1 |
|
|
||||
| PH 02F 2.0MM | AUK |
|
|
|||||
| PH 02F 2.0MM | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| PH 02F 2.0MM | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| PH 02F 2.0MM | KLS |
|
|
|||||
| PH 02F 2.0MM | CONNFLY |
|
|
|||||
| PH 08F 2.0MM | AUK |
|
|
|||||
| PH 08F 2.0MM |
|
|
||||||
| PH 08F 2.0MM | CONNFLY |
|
|
|||||
| SH-085 10K (СП3-38Б) | 72 | 4.81 |