BYG22D-E3/TR
|
|
Версия для печати
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Avalanche |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AC, SMA |
| Корпус | DO-214AC (SMA) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GP120 |
|
Модуль IGBT 1600V 50A PIM |
|
34 140.00 | ||||
| BSM50GP120 |
|
Модуль IGBT 1600V 50A PIM | INFINEON |
|
|
|||
| HCPL-J312-300E | AVAGO |
|
|
|||||
| HCPL-J312-300E | Avago Technologies US Inc |
|
|
|||||
| HCPL-J312-300E |
|
|
||||||
| HCPL-J312-300E | BROADCOM |
|
|
|||||
| HCPL-J312-300E | 4-7 НЕДЕЛЬ | 27 |
|
|||||
| MMSZ5V1T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ5V1T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ5V1T1G |
|
|
||||||
| MMSZ5V1T1G | ONS | 4 208 | 7.04 | |||||
| MMSZ7V5T1G | ONS |
|
|
|||||
| MMSZ7V5T1G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MMSZ7V5T1G |
|
|
||||||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB | ST MICROELECTRONICS | 5 031 | 16.41 | |||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB |
|
23.04 | ||||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB | ST MICROELECTRONICS SEMI | 4 846 |
|
|||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB | STMicroelectronics | 32 | 8.49 | |||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB | КИТАЙ |
|
|
