|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitance @ Vr, F | 2.89pF @ 28V, 1MHz |
| Capacitance Ratio | 22 |
| Capacitance Ratio Condition | C1/C28 |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 32V |
| Diode Type | Single |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-76, SOD-323 |
| Корпус | SOD-323 |
|
BB152 (Варикапы (параметрические диоды)) Vhf Variable Capacitance Diode
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BAS16HT1G | ON SEMICONDUCTOR | 67 103 | 1.70 | ||||
|
|
BAS16HT1G | FAIR |
|
|
||||
|
|
BAS16HT1G |
|
30.00 | |||||
|
|
BAS16HT1G | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
BAS16HT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
BAS16HT1G | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
BAS16HT1G | ON SEMICONDUCTOR | 108 |
|
||||
|
|
BAS16HT1G | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
BAS16HT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||||
|
|
BAS16HT1G | LRC |
|
|
||||
|
|
BAS16HT1G | ONS-FAIR |
|
|
||||
|
|
BAS16HT1G | 84000 |
|
|
||||
| DIN41612B/2-32F |
|
105.60 | ||||||
|
|
|
LA6510 |
|
ОУ сдвоенный, 1A, 2x18V | SANYO |
|
|
|
|
|
|
LA6510 |
|
ОУ сдвоенный, 1A, 2x18V |
|
64.12 | ||
|
|
|
LA6510 |
|
ОУ сдвоенный, 1A, 2x18V | SAN |
|
|
|
|
|
|
LA6510 |
|
ОУ сдвоенный, 1A, 2x18V | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
LA6510 |
|
ОУ сдвоенный, 1A, 2x18V | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
LA6510 |
|
ОУ сдвоенный, 1A, 2x18V | 4-7 НЕДЕЛЬ | 580 |
|
|
| MC7824CD2T | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC7824CD2T | ON SEMICONDUCTOR | 44 |
|
|||||
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | MITSUBISHI |
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | MIT |
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) |
|
331.04 | ||
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|