| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ECAP 22/450V 1625 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 450 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 22/450V 1625 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 450 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 22/450V 1625 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 450 В, 105С
|
|
|
71.24
|
|
|
|
|
ECAP 22/450V 1625 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 450 В, 105С
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
266
|
63.24
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
|
22
|
78.12
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
TECH PUB
|
707
|
9.43
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
66
|
79.00
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
120
|
24.60
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
12
|
23.21
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
15
|
|
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
|
733
|
46.27
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
HTC TAEJIN
|
120
|
68.17
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
HTC
|
|
|
|
|
|
|
LM2596T-ADJ |
|
ИМС Стабилизатор ИМП.37В 3А TO220-5
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
298
|
|
|
|
|
|
КП 303 Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
