| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
800
|
14.05
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
332
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
DC COMPONENTS
|
7 468
|
3.85
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
|
19
|
15.12
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
1
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
739 936
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
|
CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
366
|
8.23
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07100KL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07100KL |
|
|
|
4 000
|
14.44
|
|
|
|
|
RC0805JR-07100KL |
|
|
PHYCOMP
|
56 773
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07100KL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07100KL |
|
|
Yageo
|
908 640
|
1.00
>1000 шт. 0.20
|
|