|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9130pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 240A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 mOhm @ 195A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 380W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-7, D²Pak (6 leads + Tab), TO-263CB |
| Корпус | D2PAK (7-Lead) |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRF2804 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 280A, 330W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF2804 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 280A, 330W |
|
234.20 | ||
|
|
|
IRF2804 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 280A, 330W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF2804 |
|
Транзистор полевой N-MOS 40V, 280A, 330W | INFINEON |
|
|
|
| STY139N65M5 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| STY139N65M5 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STY139N65M5 |
|
|