Версия для печати
Технические характеристики IRF9520S

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	390pF @ 25V
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRF9520S (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRF9520S datasheet 160.6 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	DC COMPONENTS	8 791	2.29
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	FAIR
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MOTOROLA
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	ON SEMICONDUCTOR
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA		6 068	1.61
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	FAIRCHILD
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	FAIRCHILD	8
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MOTOROLA	1 757
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	ON SEMICONDUCTOR	7 769
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	OTHER	92
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	TAK CHEONG ELECTRONICS
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	Fairchild Semiconductor
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MICROSEMI CORP
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	КИТАЙ
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	KLS	4 600	1.20
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	KEEN SIDE	19 108	1.11
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	SEMTECH	2 000	1.20
		1N5337BG			ON SEMICONDUCTOR
		1N5337BG			ON SEMICONDUCTOR
		1N5337BG			ONS
		1N5337BG				80	37.00
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	NEC
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	DC COMPONENTS	5 054	13.70
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	MATSUSHITA
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц		156	8.04
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	ST MICROELECTRONICS
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	STMicroelectronics
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	КИТАЙ
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	RENESAS
		2SD882		Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц	BLUE ROCKET	4 800	13.43
		SS9014C			ПЛАНЕТА
		SS9014C				28 560	2.68
		SS9014C			Џ‹ЂЌ…’Ђ
		SS9014C				28 560	2.68
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		1 955	9.94
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	404	12.49
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК	4 912	11.10
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	6666

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"