| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
184 488
|
1.02
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
81 871
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
62
|
1.97
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
211
|
1.65
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
372 859
|
1.03
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
2 411
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
325 024
|
1.34
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
697 066
|
1.78
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
97 600
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
399 004
|
2.19
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
39 287
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
RUME
|
43 040
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
69
|
|
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
|
1 835
|
33.48
|
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
61
|
6.20
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
19 616
|
2.92
|
|
|
|
YC164-JR-0747RL |
|
|
Yageo
|
139 088
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
YC164-JR-0747RL |
|
|
|
|
|
|