FQP13N50C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
FQP13N50C	1	519.12
FQP13N50C (ONS)	119	186.58
FQP13N50C (ON SEMICONDUCTOR)	604	470.84

Версия для печати

Технические характеристики FQP13N50C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2055pF @ 25V
Power - Max	195W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220
Product Change Notification	Passivation Material Change 14/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP13N50C (MOSFET)

500V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP13N50C datasheet
922.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AMS1117-3.3 SOT-223	ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
AMS1117-3.3 SOT-223	ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	YOUTAI	4 770	3.12
MBR20100CT (20A,100В) TO-220AB ДИОД ШОТТКИ 3 ВЫВ YANGJIE
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	CHIN
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	SK
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	CHINA
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	SANKEN
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором			444.00
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	4-7 НЕДЕЛЬ	572
STA518		ST MICROELECTRONICS
STA518
STA518		ST1
STA518		4-7 НЕДЕЛЬ	316
TDA7384[A]		ST MICROELECTRONICS