SI4447DY-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4447DY-T1-E3 (SILICONIX.)	60	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики SI4447DY-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	805pF @ 20V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI4447DY-T1-E3 datasheet