| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
378.69
|
|
|
|
|
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A
|
|
|
268.68
|
|
|
|
|
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A
|
IOR
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)
|
|
|
362.40
|
|
|
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)
|
IR/VISHAY
|
4
|
375.15
|
|
 |
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
2 087
|
7.23
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
32
|
13.02
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
3 365
|
5.92
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
56 767
|
4.28
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
29 585
|
5.81
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
RUME
|
122 400
|
2.05
|
|
|
|
|
SSS10N60B |
|
Полевой транзистор
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SSS10N60B |
|
Полевой транзистор
|
|
|
104.68
|
|
|
|
|
SSS10N60B |
|
Полевой транзистор
|
ONS-FAIR
|
2
|
125.61
|
|
|
|
|
РЕЗИСТОР ИМП. 1 W-0,47 ОМ-5% |
|
|
|
4
|
11.16
|
|
Версия для печати
