|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-X7R-3300PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 3300 пФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0603-X7R-3300PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 3300 пФ 50 В
|
|
166
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
DC COMPONENTS
|
993
|
7.25
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
|
|
30.00
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MOTOROLA
|
19
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
ON SEMICONDUCTOR
|
92
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5383B |
|
Стабилитрон 5W, 150V, 5%
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BT151-600 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BT151-600 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
|
24 008
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
OTHER
|
3 972
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY ME
|
1 137
|
1.89
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
PANJIT
|
732
|
2.01
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
HOTTECH
|
39 728
|
1.01
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YIXING
|
18 800
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
RUME
|
16 000
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
15 660
|
1.20
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
38 605
|
3.34
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
2 652
|
2.43
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
24
|
3.10
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
288
|
4.69
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
8 000
|
1.49
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
5 822
|
2.31
|
|