IRL3705ZL

Версия для печати

Технические характеристики IRL3705ZL

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 52A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2880pF @ 25V
Power - Max	130W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL3705ZL (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL3705ZL datasheet
284.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	NXP	800	86.67
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	PHILIPS
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))		205	28.14
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	NXP	49
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	ФИЛИППИНЫ
T491A104K035AT		KEMET
T491A104K035AT		KEMET
T491A104K035AT
T491A104K035AT		МЕКСИКА
КН102Г	Динистор 10В, 2А		103	51.80
КН102Г	Динистор 10В, 2А	ТОМИЛИНО
КН102Д			24	113.40
КН102Д		ТОМИЛИНО
КН102Ж	Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный		3	185.98
КН102Ж	Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный	ТОМИЛИНО