| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
KNP 5W 0.47 +5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
KNP 5W 1 +5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RX27-1 0.33 ОМ 5W 5% / SQP5 |
|
Резистор мощный 5Вт, 0,33Ом, 5%
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
|
|
411.48
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
755
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
36
|
222.00
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
60
|
218.62
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
172
|
265.00
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КВАЗАР
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
264
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
3
|
|
|
|