| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805 0.1UF X7R 10% 50V |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
96.90
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
2 233
|
26.59
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
534
|
66.30
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
|
|
20.72
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
96.90
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
БРЯНСК
|
8 781
|
90.00
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
|
|
|
|
Версия для печати
