SI3460BDV-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI3460BDV-T1-E3 (SILICONIX.)	7	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Версия для печати

Технические характеристики SI3460BDV-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	860pF @ 10V
Power - Max	3.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI3460BDV-T1-E3 datasheet