ES3B

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ES3B (YJ)	7 953	3.16

Версия для печати

Технические характеристики ES3B

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	950mV @ 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 100V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	20ns
Capacitance @ Vr, F	45pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AB, SMC
Корпус	SMC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	TSC
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C		400	1.28 >100 шт. 0.64
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	DIOTEC	515	1.96
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS	37 063
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP	5 142
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS SEMIC
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	YJ	30 172	1.03
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	HOTTECH	800	1.03
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	KEEN SIDE	4 720	1.41 >500 шт. 0.47
BC857A	Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	MERRYELC	21 472	1.42 >100 шт. 0.71
RC0805FR-071RL		YAGEO	86 671	1.08 >500 шт. 0.36
RC0805FR-071RL
RT0805FRE0710RL		YAGEO	28 968	1.08 >100 шт. 0.54
RT0805FRE0710RL
TXS0108EPWR		Texas Instruments	187	15.94
TXS0108EPWR
TXS0108EPWR		TEXAS INSTRUMENTS	436
TXS0108EPWR		TEXAS
TXS0108EPWR		4-7 НЕДЕЛЬ	646
КЕР.ЧИП КОНД. 6800ПФ X7R 10%, 250В, 0805, GRM21AR72E682K		MURATA