| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
|
|
103.20
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
AMS
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
AMSI
|
4
|
12.21
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
|
|
30.00
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
YOUTAI
|
89 020
|
9.72
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
YONGYUTAI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
FULIHAO TECH
|
11
|
6.20
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
SLKOR
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
JSMICRO
|
5 344
|
7.24
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
UMW
|
86
|
4.15
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
3
|
75.03
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
|
76.64
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
82
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
R2A20113SP |
|
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
R2A20113SP |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R2A20113SP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
SK
|
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
|
|
542.40
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|