![]() |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
CM322522-101KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 11 490 | 14.01 | |
![]() |
![]() |
CM322522-101KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
![]() |
19.84 | ||
![]() |
![]() |
CM322522-101KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
CM322522-470KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц | BOURNS | 11 276 | 16.77 | |
![]() |
![]() |
CM322522-470KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц |
![]() |
![]() |
||
G 738 СЕРЫЙ | GAINTA |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
SDR1006-330KL |
![]() |
Индуктивность 33 мкГн SMD | BOURNS | 5 506 | 37.90 | |
![]() |
![]() |
SDR1006-330KL |
![]() |
Индуктивность 33 мкГн SMD |
![]() |
56.00 | ||
![]() |
TNC-JR | 16 | 113.10 | |||||
![]() |
TNC-JR | BM | 104 | 87.12 | ||||
![]() |
TNC-JR | 16 | 113.10 |
|
Корзина
|