Версия для печати
Технические характеристики 2-1571552-9

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	800
Тип	DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing
Number of Positions or Pins (Grid)	28 (2 x 14)
Pitch	0.100" (2.54mm)
Тип монтажа	Выводной
Возможности	Open Frame
Contact Finish	Gold
Contact Finish Thickness	Flash

КАТАЛОГ

 » 

КОММУТАЦИЯ

 » 

РАЗЪЕМЫ

 » 

Сокеты для микросхем, транзисторов

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ЧИП 0805 470K 1%		ЧИП — резистор 0805, 470кОм, 1%	YAGEO
		ЧИП 0805 470K 1%		ЧИП — резистор 0805, 470кОм, 1%	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		ЧИП 0805 470K 1%		ЧИП — резистор 0805, 470кОм, 1%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MPS-850N			SWITRONIC
		P6AU-2405ELF		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 21,6:26,4В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...	PEAK ELECTRONICS
		P6AU-2405ELF		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 21,6:26,4В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...			534.68
		P6AU-2405ELF		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 21,6:26,4В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...	PEAK
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	200	299.63
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ
		ТЕРМОУСАДКА Ф10 ПРОЗР				920	12.63
		ТЕРМОУСАДКА Ф10 ПРОЗР				920	12.63
		ТЕРМОУСАДКА Ф10 ПРОЗР			RUICHI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"