|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 000
|
56.56
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
69
|
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
|
|
109.60
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LD1117AS12TR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
716
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
18 043
|
19.38
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
|
1 253
|
20.99
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 941
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
64
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
|
1
|
94.50
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
M25P10-AVMN6P |
|
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
426
|
|
|
|
|
TAJD107K020RNJ |
|
Танталовый конденсатор 10мкФ, 10 В, 10%, 125С
|
AVX Corporation
|
|
|
|
|
|
TAJD107K020RNJ |
|
Танталовый конденсатор 10мкФ, 10 В, 10%, 125С
|
AVX
|
|
|
|
|
|
TAJD107K020RNJ |
|
Танталовый конденсатор 10мкФ, 10 В, 10%, 125С
|
AVX
|
|
|
|
|
|
TAJD107K020RNJ |
|
Танталовый конденсатор 10мкФ, 10 В, 10%, 125С
|
|
|
|
|
|
|
TAJD107K020RNJ |
|
Танталовый конденсатор 10мкФ, 10 В, 10%, 125С
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TAJD107K020RNJ |
|
Танталовый конденсатор 10мкФ, 10 В, 10%, 125С
|
KYOCERA-AVX
|
10 716
|
50.17
|
|
|
|
YC164-JR-0747RL |
|
|
Yageo
|
109 955
|
1.31
|
|
|
|
YC164-JR-0747RL |
|
|
|
|
|
|