STB8N65M5


Купить STB8N65M5 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB8N65M5 MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики STB8N65M5

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 3.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds690pF @ 100V
Power - Max70W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Транзистор МОП, N - канальный 7А, 650В, 70В

STB8N65M5 datasheet
1,27MB
25стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход