AOD606
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 404pF @ 20V |
| Power - Max | 20W, 30W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Корпус | TO-252-4L |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK1357 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 5A, 125W | TOSHIBA | 4 | 291.06 | ||
|
|
2SK1357 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 5A, 125W | 11 | 325.08 | |||
 |
NTD20P06LG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
NTD20P06LG | ONS |
|
|
||||
|
|
NTD20P06LG |
|
108.00 | |||||
 |
NTD24N06LT4G |
|
Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
NTD24N06LT4G |
|
Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт | ONS |
|
|
||
|
|
NTD24N06LT4G |
|
Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
NTD24N06LT4G |
|
Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт |
|
|
|||
|
|
S21ME4 | SHARP |
|
|
||||
|
|
S21ME4 |
|
113.80 | |||||
|
|
S21ME4 | Sharp Microelectronics |
|
|
||||
|
|
S21ME4 | ФИНЛЯНДИЯ |
|
|
||||
|
|
S21ME4 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 712 |
|
||||
| W78E516B40PL | WINBOND |
|
|
|||||
| W78E516B40PL | WINBOND |
|
|
|||||
| W78E516B40PL | Nuvoton Technology Corporation of America |
|
|
