2N5551TA
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 625mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
| Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551-Y | FAIR |
|
|
|||||
| 2N5551-Y |
|
8.00 | ||||||
| 2N5551-Y | FSC |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | КИТАЙ |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | ON SEMI/FAIRCH |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | ONS |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | LGE |
|
|
|||||
| 2N5551G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N5551G |
|
9.20 | ||||||
| 2N5551G | ONS |
|
|
|||||
| 2N5551G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| КТ 6117 А | RUS |
|
|
|||||
 |
КТ6117А |
|
(2N5551) | 106 | 11.04 | |||
|
|
КТ6117А |
|
(2N5551) | МИНСК |
|
|
||
|
|
КТ6117А |
|
(2N5551) | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||
| КТ6117Б |
|
13.60 | ||||||
| КТ6117Б | МИНСК |
|
|
|||||
| КТ6117Б | ИНТЕГРАЛ |
|
|
