В10-5
|
|
Версия для печати
| Максимально допустимый средний прямой ток IF(AV) (TC,°C) | 10(100) |
| Импульсное прямое напряжение / ток VFM/IFM | 1,35/31 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус Rth(j-c) | 1,5 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 52 798 |
1.96 >100 шт. 0.98 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 416 040 | 1.48 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 71 726 | 2.75 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 174 323 | 1.35 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 5.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
2 928 | 3.70 | |||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 27 | 1.49 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 60 724 |
1.42 >100 шт. 0.71 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 17 600 | 2.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS | 2 311 | 1.38 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 23 296 | 1.44 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 28 636 | 1.15 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 47 269 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 85 | 1.30 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 1 |
1.44 >100 шт. 0.72 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGZHOU YANGJIE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEEN SIDE | 365 162 |
1.06 >100 шт. 0.53 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
MERRYELC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
82582 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
81682 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TRR | 517 840 |
1.34 >100 шт. 0.67 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
71682 |
|
|
||
| SA-16-3300 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 16 В | TREC |
|
|
|||
| SA-16-3300 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 16 В |
|
42.36 | ||||
| SA-16-3300 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 16 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SA-16-3300 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 16 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
В10-9 |
|
264.96 | |||||
 |
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс | 106 | 17.30 | ||
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс | ТОМИЛИНО |
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ |
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс | СЗТП | 480 | 42.36 | |
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс | РОССИЯ |
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
|
| КЭВ-1 1 ВТ 390 МОМ 10% |
|
|
