IRFZ30

MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Версия для печати

Технические характеристики IRFZ30

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1600pF @ 25V
Power - Max	75W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFZ30 datasheet

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП727Б				10	55.20

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	NXP	800	86.67
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	PHILIPS
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))		286	28.14
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	NXP	49
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	ФИЛИППИНЫ
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FAIR
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	MOTOROLA
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В		36	68.04
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FAIRCHILD	52	99.16
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FCS
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	LIT	5 027	14.46
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	ONSEMICONDUCTOR
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	LITE-ON
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	1
АОУ115Б			416	53.09
АОУ115Б		СТАРТ	1 977	21.00
АОУ115Б		167
АОУ115Б		2305
ИВ-17			55	138.75
КТ935А			12	173.90
КТ935А		ФРЯЗИНО