АИ402Г
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 47МКФ 16 (5X7) |
|
|
||||||
 |
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz | SAMSUNG |
|
|
||
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz |
|
2.80 | |||
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz |
|
2.80 | |||
 |
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 4 | 75.60 | |||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | UTC |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS THOMSON |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 354 |
|
||
| КТ3132В-2 |
|
|
||||||
| КТ3132В-2 | ПУЛЬСАР |
|
|
|||||
 |
КТ639Ж |
|
|
|||||
|
|
КТ639Ж | КРЕМНИЙ | 400 | 24.57 | ||||
|
|
КТ639Ж |
|
|
|||||
|
|
КТ639Ж | БРЯНСК | 632 | 12.60 |
