FQPF19N20


200v n-channel mosfet

FQPF19N20 (заказ)
FQPF19N20

Технические характеристики FQPF19N20

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 5.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11.8A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1600pF @ 25V
Power - Max50W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Full Pack
КорпусTO-220F
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru