IRFD110PBF
Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZX84-C10 | FAIR |
|
|
||||
|
|
BZX84-C10 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZX84-C10 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX84-C10 | PHILIPS | 11 948 |
|
||||
|
|
BZX84-C10 | NXP | 2 041 |
|
||||
|
|
BZX84-C10 | KEEN SIDE | 1 704 |
1.24 >100 шт. 0.62 |
||||
| MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | HITANO |
|
|
|||
| MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В |
|
10.80 | ||||
 |
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | 2 449 | 28.45 | ||
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | ST1 |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | STMICROELECTR |
|
|
|
| SY035M0220A5F-0815 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 35 В | YAGEO |
|
|
|||
| К10-17Б-0.22 Н50 |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В |
|
58.32 |
