| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 625mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
| Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
14 360
|
3.60
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 718
|
4.14
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
21 448
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
417
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.17
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
3 936
|
1.08
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
4 443
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
2 056
|
1.28
|
|
|
|
ADUM1100BRZ |
|
1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1100BRZ |
|
1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1100BRZ |
|
1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1100BRZ |
|
1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
ADUM1100BRZ |
|
1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADUM1100BRZ |
|
1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1100BRZ |
|
1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
692
|
|
|
|
|
|
BP-214B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BP-214B |
|
|
DRAGON CITY
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
|
157
|
82.30
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
BM
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
NXU
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
AUK
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
RUICHI
|
40
|
210.82
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
996
|
14.84
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
|
260
|
20.16
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
WS
|
1 312
|
9.34
|
|
|
|
|
L79L05ACZ |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
432
|
|
|