VB30100S
|
Высоковольтный trench mos ограничительный диод шотки
|
Версия для печати
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 30A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 100V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
VB30100S (Диоды Шоттки) Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC076N06NS3 G | INFINEON |
|
|
|||||
| BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | MURATA |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | MURATA |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | MUR | 5 496 |
0.78 >500 шт. 0.26 |
|||||
| GRM155R71A104KA01D |
|
|
||||||
| GRM155R71C102KA01D |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 16 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM155R71C102KA01D |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 16 В | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| GRM155R71C102KA01D |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 16 В | MUR |
|
|
|||
| RC0603FR-073K09 | YAGEO |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 252 | 207.96 | ||||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | MICRO CHIP | 480 | 258.30 | |||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | SILICON STORAGE TECHNOLOGY |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
