К50-16-50В-1000МКФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К50-12-50В-2000 МКФ
К50-16-25В-5000 МКФ			147	33.48
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	КРЕМНИЙ	80	94.48
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...		1 567	37.20
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	БРЯНСК
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	ВОРОНЕЖ
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	RUS
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	1092
КТ850А	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	784
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный		742	104.16
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	КРЕМНИЙ	80	89.79
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	БРЯНСК
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	RUS
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	101
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	464
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	92
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	4
МБГЧ-1-1 250 В 4 МКФ