SI3443DV

Hexfet power mosfets discrete p-channel

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI3443DV (FAIRCHILD.)	2 003	3-4 недели Цена по запросу
SI3443DV (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	168	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI3443DV

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	640pF @ 10V
Power - Max	800mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT
Product Change Notification	Cu Wire Change 30/July/2007 Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Co

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI3443DV (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

SI3443DV datasheet
109.1 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	16 056	6.24
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	496	4.04
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		12 888	1.07
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	60	1.38 >100 шт. 0.69
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.15
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	3 151	1.07
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME
AMC1117-1.8SKFT		ADD MICROTECH CORPORATION
AMC1117-1.8SKFT		ADD MICROTECH CORPORATION
FW82801FB(SL8BZ)		INTEL
FW82801FB(SL8BZ)		INTEL
FW82801FB(SL8BZ)
FW82801FB(SL8BZ)		4-7 НЕДЕЛЬ	437
LM2576S-5.0		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2576S-5.0			295	42.46
LM2576S-5.0		NSC	4	300.61
LM2576S-5.0		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2576S-5.0		КИТАЙ
LM2576S-5.0		ТАИЛАНД
LM2576S-5.0		TEXAS INSTRUMENTS
LM2576S-5.0		TEXAS
LM2576S-5.0		YOUTAI	1 206	45.52
LM2576S-5.0		FULIHAO TECH	1 920	40.29
LM2576S-5.0		UMW-YOUTAI
LM2576S-5.0		UMW	744	36.16
LM2576S-5.0		4-7 НЕДЕЛЬ	70
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.18
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211

SI3443DV

Hexfet power mosfets discrete p-channel

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: