IGW75N60H3

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	Fairchild Semiconductor
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FSC
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONSEMICONDUCTOR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS	88	371.95
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS-FAIR	1 426	215.07
FGH60N60SMD		Fairchild Semiconductor
FGH60N60SMD		FSC
FGH60N60SMD			476	272.59
FGH60N60SMD		FAIR
FGH60N60SMD		FAIRCHILD
FGH60N60SMD		ONS	32	527.10
FGH60N60SMD		ONS-FAIR
FGH60N60SMD		ON SEMICONDUCTOR	7	299.75
FGH60N60SMD		ONSEMI	2	454.09
FGH60N60SMD		3
LM211DR		TEXAS INSTRUMENTS	2 888	17.01
LM211DR		PHILIPS
LM211DR		PHILIPS
LM211DR		TEXAS INSTRUMENTS
LM211DR			709	11.38
LM211DR		TEXAS
LM211DR		TEXAS INSTRUMEN
LM211DR		TEXASINSTRUMENTS
LM211DR		UMW	209	12.13
LM211DR		4-7 НЕДЕЛЬ	752
LM211DR		130
MGB20-P-11B			3 475	42.68
MGB20-P-11B			3 475	42.68
VS-36MB120A	1 фазн мост 1200В 35А D34A	VISHAY	144	816.23
VS-36MB120A	1 фазн мост 1200В 35А D34A	VISHAY/IR
VS-36MB120A	1 фазн мост 1200В 35А D34A