NTMS3P03R2G


Купить NTMS3P03R2G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMS3P03R2G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
NTMS3P03R2G (ON SEMICONDUCTOR.) 1 332 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTMS3P03R2G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.34A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 3.05A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds750pF @ 24V
Power - Max730mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
Product Change NotificationWire Change 20/Aug/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход