MUN5211DW1T1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BH1750FVI-TR |
|
Rohm Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
BH1750FVI-TR |
|
ROHM | 978 | 67.86 | ||
|
|
|
BH1750FVI-TR |
|
|
|
|||
| KLS5-812-B (FC1-5230) | KLS |
|
|
|||||
| STLM75DS2F | ST MICROELECTRONICS | 2 429 | 47.59 | |||||
| STLM75DS2F | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STLM75DS2F | ST MICROELECTRONICS SEMI | 72 |
|
|||||
| STLM75DS2F | 772 | 49.00 | ||||||
| STLM75DS2F | 4-7 НЕДЕЛЬ | 400 |
|
|||||
|
|
TSOP4838 |
|
Фотоприемник инфракрачный | VISHAY | 576 | 60.97 | ||
|
|
TSOP4838 |
|
Фотоприемник инфракрачный | 716 | 62.52 | |||
|
|
TSOP4838 |
|
Фотоприемник инфракрачный | 4-7 НЕДЕЛЬ | 289 |
|
||
| БАТАРЕЯ AA (316) DURACELL TURBO |
|
|
||||||
| БАТАРЕЯ AA (316) DURACELL TURBO | DURACELL |
|
|
