RUM002N02T2L
|
MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | VMT3 |
| Корпус | VMT3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
