|
ОУ полев. вход, 25 МГц, 50 В/мкс, Uсм = 0,085 мВ, 0,8 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 10...27,3 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца. |
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±5 V ~ 13 V |
| Ток выходной / канал | 45mA |
| Ток выходной | 3mA |
| Напряжение входного смещения | 85µV |
| Ток - входного смещения | 3pA |
| Полоса пропускания | 25MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 60 V/µs |
| Число каналов | 1 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |