SI9435BDY-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI9435BDY-T1-E3		135.08
SI9435BDY-T1-E3 (4-7 НЕДЕЛЬ)	86	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI9435BDY-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 5.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 10V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.