|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
|
|
17.00
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
CA050M0100REG-1010 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
68
|
7.55
|
|
|
|
CA050M0100REG-1010 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В
|
|
|
27.64
|
|
|
|
CA050M0100REG-1010 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CA050M0100REG-1010 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
165 975
|
1.98
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
11 343
|
5.47
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
80 441
|
2.78
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
28 851
|
5.29
|
|
|
|
RC1206JR-0751R |
|
Резистор SMD 1206 51 Ом 0.125/0.25Вт 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0751R |
|
Резистор SMD 1206 51 Ом 0.125/0.25Вт 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
КСОТ-1Г-250В-510 ПФ 10% |
|
|
|
|
|
|