|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BTB41-600BRG |
|
Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))
|
ST MICROELECTRONICS
|
5
|
622.18
|
|
|
|
BTB41-600BRG |
|
Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))
|
|
2
|
462.42
|
|
|
|
BTB41-600BRG |
|
Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
56
|
43.72
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
1 988
|
24.52
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
1 088
|
29.31
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
315
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
1 996
|
29.54
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
|
1 133.24
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
20
|
871.20
|
|
|
|
UC3875N |
|
контроллер широтно-импульсной модуляции с жестко лимитированной рабочей частотой
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UC3875N |
|
контроллер широтно-импульсной модуляции с жестко лимитированной рабочей частотой
|
UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
UC3875N |
|
контроллер широтно-импульсной модуляции с жестко лимитированной рабочей частотой
|
|
|
1 100.00
|
|
|
|
UC3875N |
|
контроллер широтно-импульсной модуляции с жестко лимитированной рабочей частотой
|
UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
|
|
|
|
|
|
UC3875N |
|
контроллер широтно-импульсной модуляции с жестко лимитированной рабочей частотой
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
UC3875N |
|
контроллер широтно-импульсной модуляции с жестко лимитированной рабочей частотой
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UC3875N |
|
контроллер широтно-импульсной модуляции с жестко лимитированной рабочей частотой
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
633
|
|
|